Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > APT10M07JVR
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
3924033

APT10M07JVR

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    APT10M07JVR
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    ISOTOP®
  • Serier
    POWER MOS V®
  • Effektdissipation (Max)
    700W (Tc)
  • Förpackning
    Tube
  • Förpackning / Fodral
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Chassis Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    21600pF @ 25V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    1050nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    100V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 100V 225A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    225A (Tc)
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Beskrivning: IGBT 600V 183A 780W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Beskrivning: IGBT 600V 148A 500W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT102GA60L

APT102GA60L

Beskrivning: IGBT 600V 183A 780W TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Beskrivning: IGBT 600V 148A 500W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Beskrivning: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Beskrivning: DIODE SILICON 650V 17A TO220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100S20BG

APT100S20BG

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Beskrivning: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100M50J

APT100M50J

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Beskrivning: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Beskrivning: DIODE SILICON 650V 17A TO220

tillverkare: Microsemi
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta