Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - IGBT-moduler > APT100GT60JR
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
4897181APT100GT60JR bildMicrosemi

APT100GT60JR

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
30+
$21.519
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    APT100GT60JR
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IGBT 600V 148A 500W SOT227
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max)
    600V
  • Vce (på) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 100A
  • Leverantörs Device Package
    ISOTOP®
  • Serier
    Thunderbolt IGBT®
  • Effekt - Max
    500W
  • Förpackning / Fodral
    ISOTOP
  • Andra namn
    APT100GT60JRMI
    APT100GT60JRMI-ND
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-termistor
    No
  • Monteringstyp
    Chassis Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    18 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Cies) @ Vce
    5.15nF @ 25V
  • Inmatning
    Standard
  • IGBT-typ
    NPT
  • detaljerad beskrivning
    IGBT Module NPT Single 600V 148A 500W Chassis Mount ISOTOP®
  • Nuvarande - Collector Cutoff (Max)
    25µA
  • Nuvarande - Samlare (Ic) (Max)
    148A
  • Konfiguration
    Single
APT102GA60L

APT102GA60L

Beskrivning: IGBT 600V 183A 780W TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Beskrivning: IGBT 600V 148A 500W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Beskrivning: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Beskrivning: IGBT 600V 183A 780W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100M50J

APT100M50J

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Beskrivning: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Beskrivning: IGBT 600V 229A 625W TMAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Beskrivning: IGBT 600V 229A 625W TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Beskrivning: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100S20BG

APT100S20BG

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Beskrivning: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Beskrivning: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GN120J

APT100GN120J

Beskrivning: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Beskrivning: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Beskrivning: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Beskrivning: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Beskrivning: IGBT 600V 148A 500W SOT247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Beskrivning: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

tillverkare: Microsemi
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta