Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > APT100MC120JCU2
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
3763826APT100MC120JCU2 bildMicrosemi

APT100MC120JCU2

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$241.30
10+
$229.65
25+
$221.329
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    APT100MC120JCU2
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 2mA
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    SOT-227
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 100A, 20V
  • Effektdissipation (Max)
    600W (Tc)
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Chassis Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    32 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    5960pF @ 1000V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    360nC @ 20V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    20V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    1200V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 1200V 143A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    143A (Tc)
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Beskrivning: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Beskrivning: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100M50J

APT100M50J

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Beskrivning: IGBT 600V 229A 625W TMAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100S20BG

APT100S20BG

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Beskrivning: IGBT 600V 148A 500W SOT247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Beskrivning: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Beskrivning: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Beskrivning: IGBT 600V 229A 625W TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Beskrivning: IGBT 600V 183A 780W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Beskrivning: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Beskrivning: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Beskrivning: IGBT 600V 148A 500W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Beskrivning: IGBT 600V 148A 500W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT102GA60L

APT102GA60L

Beskrivning: IGBT 600V 183A 780W TO264

tillverkare: Microsemi
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta