Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Likriktare - Arrays > APT10SCD65KCT
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
546018

APT10SCD65KCT

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    APT10SCD65KCT
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE SILICON 650V 17A TO220
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.8V @ 10A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    650V
  • Leverantörs Device Package
    TO-220
  • Fart
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serier
    -
  • Omvänd återställningstid (trr)
    0ns
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    TO-220-3
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Silicon Carbide Schottky
  • Diodkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaljerad beskrivning
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220-3
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    200µA @ 650V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io) (per Diod)
    17A
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

tillverkare: Microsemi
I lager
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Beskrivning: IGBT 1200V 25A 156W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Beskrivning: IGBT 600V 41A 187W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Beskrivning: IGBT 1200V 25A 156W TO220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT11F80S

APT11F80S

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
APT11F80B

APT11F80B

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Beskrivning: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

tillverkare: Microsemi
I lager
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Beskrivning: DIODE SILICON 650V 17A TO220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Beskrivning: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

tillverkare: Microsemi
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta