Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > RFN3B6STL
RFQs/beställning (0)
Svenska
1809559

RFN3B6STL

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RFN3B6STL
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURPOSE CPD
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Ecad -modell
  • Serier
    *
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaljerad beskrivning
    Diode
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5B6STL

RFN5B6STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

Beskrivning: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BGE3STL

RFN5BGE3STL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta