Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > RFN3BM6STL
RFQs/beställning (0)
Svenska
1597305RFN3BM6STL bildLAPIS Semiconductor

RFN3BM6STL

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$1.05
10+
$0.931
100+
$0.736
500+
$0.57
1000+
$0.45
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RFN3BM6STL
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.55V @ 3A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    600V
  • Leverantörs Device Package
    TO-252
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Omvänd återställningstid (trr)
    30ns
  • Förpackning
    Cut Tape (CT)
  • Förpackning / Fodral
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andra namn
    RFN3BM6STLCT
  • Driftstemperatur - korsning
    150°C (Max)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount TO-252
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    10µA @ 600V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    3A
  • Kapacitans @ Vr, F
    -
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

Beskrivning: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5B6STL

RFN5B6STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BM3SFHTL

RFN5BM3SFHTL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BM3STL

RFN5BM3STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BM6STL

RFN5BM6STL

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BM2STL

RFN5BM2STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BM6SFHTL

RFN5BM6SFHTL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BGE3STL

RFN5BGE3STL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta