Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > RFN5B6STL
RFQs/beställning (0)
Svenska
4593852RFN5B6STL bildLAPIS Semiconductor

RFN5B6STL

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RFN5B6STL
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 600V 5A CPD
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.55V @ 5A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    600V
  • Leverantörs Device Package
    CPD
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Omvänd återställningstid (trr)
    50ns
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Driftstemperatur - korsning
    150°C (Max)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 600V 5A Surface Mount CPD
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    10µA @ 600V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    5A
  • Kapacitans @ Vr, F
    -
RFN5BM3STL

RFN5BM3STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BM6SFHTL

RFN5BM6SFHTL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BGE3STL

RFN5BGE3STL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BM3SFHTL

RFN5BM3SFHTL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN6BM2DTL

RFN6BM2DTL

Beskrivning: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BM2STL

RFN5BM2STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN6B2DTL

RFN6B2DTL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN5BM6STL

RFN5BM6STL

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN6BM2DFHTL

RFN6BM2DFHTL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta