Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > RFN2L4STE25
RFQs/beställning (0)
Svenska
3530576RFN2L4STE25 bildLAPIS Semiconductor

RFN2L4STE25

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$0.218
10+
$0.193
30+
$0.183
100+
$0.169
500+
$0.157
1500+
$0.153
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RFN2L4STE25
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.2V @ 1.5A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    400V
  • Leverantörs Device Package
    PMDS
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Omvänd återställningstid (trr)
    30ns
  • Förpackning
    Cut Tape (CT)
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AC, SMA
  • Andra namn
    RFN2L4STE25CT
  • Driftstemperatur - korsning
    150°C (Max)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Schottky
  • detaljerad beskrivning
    Diode Schottky 400V 1.5A Surface Mount PMDS
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    1µA @ 400V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    1.5A
  • Kapacitans @ Vr, F
    -
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

Beskrivning: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

Beskrivning: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20NS3SFHTL

RFN20NS3SFHTL

Beskrivning: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20NS4SFHTL

RFN20NS4SFHTL

Beskrivning: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN1LAM7STR

RFN1LAM7STR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN1LAM7STFTR

RFN1LAM7STFTR

Beskrivning: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN1LAM6STR

RFN1LAM6STR

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE CPD

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta