Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > RFN1LAM7STR
RFQs/beställning (0)
Svenska
3703234RFN1LAM7STR bildLAPIS Semiconductor

RFN1LAM7STR

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$0.50
10+
$0.349
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RFN1LAM7STR
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.5V @ 800mA
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    700V
  • Leverantörs Device Package
    PMDTM
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Omvänd återställningstid (trr)
    80ns
  • Förpackning
    Cut Tape (CT)
  • Förpackning / Fodral
    SOD-128
  • Andra namn
    RFN1LAM7SCT
  • Driftstemperatur - korsning
    150°C (Max)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 700V 800mA Surface Mount PMDTM
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    1µA @ 700V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    800mA
  • Kapacitans @ Vr, F
    -
RFN1L7STE25

RFN1L7STE25

Beskrivning: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN10NS6SFHTL

RFN10NS6SFHTL

Beskrivning: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN10NS6STL

RFN10NS6STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN10T2D

RFN10T2D

Beskrivning: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN1LAM7STFTR

RFN1LAM7STFTR

Beskrivning: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20NS3SFHTL

RFN20NS3SFHTL

Beskrivning: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20NS4SFHTL

RFN20NS4SFHTL

Beskrivning: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN10TF6S

RFN10TF6S

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

Beskrivning: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN1L6STE25

RFN1L6STE25

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN10BM6SFHTL

RFN10BM6SFHTL

Beskrivning: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN1LAM6STR

RFN1LAM6STR

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RFN10BM3STL

RFN10BM3STL

Beskrivning: DIODE GEN PURP 350V 10A TO252

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta