Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > GP1M020A060N
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
3475510GP1M020A060N bildGlobal Power Technologies Group

GP1M020A060N

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    GP1M020A060N
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    TO-3PN
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    330 mOhm @ 10A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    347W (Tc)
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    2097pF @ 25V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    76nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    600V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 600V 20A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)
GP1M023A050N

GP1M023A050N

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1S092HCPI

GP1S092HCPI

Beskrivning: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP1M016A060N

GP1M016A060N

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1S094HCZ0F

GP1S094HCZ0F

Beskrivning: SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU

tillverkare: Socle Technology Corporation
I lager
GP1S092HCPIF

GP1S092HCPIF

Beskrivning:

tillverkare: Socle Technology Corporation
I lager
GP1S093HCZ

GP1S093HCZ

Beskrivning: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP1M020A060M

GP1M020A060M

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M020A050N

GP1M020A050N

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

Beskrivning: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M018A020FG

GP1M018A020FG

Beskrivning: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M016A060FH

GP1M016A060FH

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1S094HCZ

GP1S094HCZ

Beskrivning: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP1S036HEZ

GP1S036HEZ

Beskrivning: SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP1S093HCZ0F

GP1S093HCZ0F

Beskrivning:

tillverkare: Socle Technology Corporation
I lager
GP1S096HCZ

GP1S096HCZ

Beskrivning: PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.0MM PCB

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP1M016A060H

GP1M016A060H

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1S096HCZ0F

GP1S096HCZ0F

Beskrivning: SENSOR OPTO SLOT 1MM TRANS THRU

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GP1M016A060F

GP1M016A060F

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M018A020HG

GP1M018A020HG

Beskrivning: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager
GP1M018A020CG

GP1M018A020CG

Beskrivning: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

tillverkare: Global Power Technologies Group
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta