Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > S12JCHR7G
RFQs/beställning (0)
Svenska
4473973S12JCHR7G bildTSC (Taiwan Semiconductor)

S12JCHR7G

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
3400+
$0.235
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    S12JCHR7G
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.1V @ 12A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    600V
  • Leverantörs Device Package
    DO-214AB (SMC)
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serier
    Automotive, AEC-Q101
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AB, SMC
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    40 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 600V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    1µA @ 600V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    12A
  • Kapacitans @ Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz
S12KR

S12KR

Beskrivning: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

tillverkare: GeneSiC Semiconductor
I lager
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12KC V6G

S12KC V6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12JR

S12JR

Beskrivning: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

tillverkare: GeneSiC Semiconductor
I lager
S12JC M6G

S12JC M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12KC V7G

S12KC V7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12GR

S12GR

Beskrivning: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

tillverkare: GeneSiC Semiconductor
I lager
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12J

S12J

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

tillverkare: GeneSiC Semiconductor
I lager
S12JC V6G

S12JC V6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12KC M6G

S12KC M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12K

S12K

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

tillverkare: GeneSiC Semiconductor
I lager
S12KC R7G

S12KC R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12M

S12M

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

tillverkare: GeneSiC Semiconductor
I lager
S12GC V7G

S12GC V7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12JC R7G

S12JC R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12JC V7G

S12JC V7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta