Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > S12KR
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
2368036

S12KR

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
100+
$4.39
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    S12KR
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Peak Reverse (Max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    12A
  • Spänning - Uppdelning
    DO-4
  • Serier
    -
  • RoHS-status
    Bulk
  • Omvänd återställningstid (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Motstånd @ Om, F
    -
  • Polarisering
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Andra namn
    S12KRGN
  • Monteringstyp
    Chassis, Stud Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    10 Weeks
  • Tillverkarens varunummer
    S12KR
  • Utvidgad beskrivning
    Diode Standard, Reverse Polarity 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diodkonfiguration
    10µA @ 50V
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    1.1V @ 12A
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io) (per Diod)
    800V
  • Kapacitans @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C
S12M

S12M

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

tillverkare: GeneSiC Semiconductor
I lager
S12MCHM6G

S12MCHM6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12KC V7G

S12KC V7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12JR

S12JR

Beskrivning: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

tillverkare: GeneSiC Semiconductor
I lager
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12MCHR7G

S12MCHR7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12MC R7G

S12MC R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12ME1FY

S12ME1FY

Beskrivning: OPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIP

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
S12MC V7G

S12MC V7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12MR

S12MR

Beskrivning: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

tillverkare: GeneSiC Semiconductor
I lager
S12KC R7G

S12KC R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12KC V6G

S12KC V6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12MD3

S12MD3

Beskrivning: OPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIP

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
S12MC M6G

S12MC M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12K

S12K

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

tillverkare: GeneSiC Semiconductor
I lager
S12MC V6G

S12MC V6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12KC M6G

S12KC M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta