Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > RS1JL R3G
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
4247069RS1JL R3G bildTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JL R3G

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$0.43
10+
$0.392
100+
$0.22
500+
$0.118
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RS1JL R3G
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.3V @ 800mA
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    600V
  • Leverantörs Device Package
    Sub SMA
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Omvänd återställningstid (trr)
    250ns
  • Förpackning
    Cut Tape (CT)
  • Förpackning / Fodral
    DO-219AB
  • Andra namn
    RS1JL R3GCT
    RS1JL R3GCT-ND
    RS1JLR3GCT
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    25 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    5µA @ 600V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    800mA
  • Kapacitans @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1JL RTG

RS1JL RTG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1JLHM2G

RS1JLHM2G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1JL RQG

RS1JL RQG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JL RVG

RS1JL RVG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JL MHG

RS1JL MHG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JHM2G

RS1JHM2G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JL MQG

RS1JL MQG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1JL RHG

RS1JL RHG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JLHMTG

RS1JLHMTG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JLHMQG

RS1JLHMQG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JHR3G

RS1JHR3G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JL MTG

RS1JL MTG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JLHMHG

RS1JLHMHG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JL RUG

RS1JL RUG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JL RFG

RS1JL RFG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta