Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > RS1JHR3G
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
3672274RS1JHR3G bildTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JHR3G

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
9000+
$0.057
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    RS1JHR3G
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.3V @ 1A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    600V
  • Leverantörs Device Package
    DO-214AC (SMA)
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    Automotive, AEC-Q101
  • Omvänd återställningstid (trr)
    250ns
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AC, SMA
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    10 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    5µA @ 600V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    1A
  • Kapacitans @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JL MTG

RS1JL MTG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JL R3G

RS1JL R3G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1JL RHG

RS1JL RHG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JFSHMXG

RS1JFSHMXG

Beskrivning: DIODE, FAST, 1A, 600V

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1JL RFG

RS1JL RFG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JL RTG

RS1JL RTG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JL MHG

RS1JL MHG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JFSHMWG

RS1JFSHMWG

Beskrivning: DIODE

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JFS MWG

RS1JFS MWG

Beskrivning: DIODE

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JL MQG

RS1JL MQG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JFP

RS1JFP

Beskrivning: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
RS1JL RUG

RS1JL RUG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JFS MXG

RS1JFS MXG

Beskrivning: DIODE, FAST, 1A, 600V

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JL RQG

RS1JL RQG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
RS1JHM2G

RS1JHM2G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta