Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Bridge Likriktare > KBP107G C2G
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
344010

KBP107G C2G

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    KBP107G C2G
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Peak Reverse (Max)
    1kV
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1V @ 1A
  • Teknologi
    Standard
  • Leverantörs Device Package
    KBP
  • Serier
    -
  • Förpackning / Fodral
    4-SIP, KBP
  • Andra namn
    KBP107G C2G-ND
    KBP107GC2G
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Single Phase
  • detaljerad beskrivning
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBP
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    1A
KBP10G

KBP10G

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
KBP151G C2G

KBP151G C2G

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1.5A 50V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
KBP103G C2

KBP103G C2

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
KBP10M-BP

KBP10M-BP

Beskrivning: DIODE BRIDGE 2A 1000V KBPR

tillverkare: Micro Commercial Components (MCC)
I lager
KBP103G C2G

KBP103G C2G

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
KBP152G C2

KBP152G C2

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1.5A 100V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
KBP104G C2G

KBP104G C2G

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
KBP10M-E4/51

KBP10M-E4/51

Beskrivning: DIODE 1.5A 1000V KBPM

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
KBP151G C2

KBP151G C2

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1.5A 50V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
KBP106G C2

KBP106G C2

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
KBP105G C2

KBP105G C2

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
KBP10M

KBP10M

Beskrivning: IC BRIDGE RECT 1.5A 1000V KBPM

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
KBP107G C2

KBP107G C2

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
KBP10M-M4/51

KBP10M-M4/51

Beskrivning: RECT BRIDGE 1.5A 1000V KBPM

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
KBP152G C2G

KBP152G C2G

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1.5A 100V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
KBP106G C2G

KBP106G C2G

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
KBP105G C2G

KBP105G C2G

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
KBP104G C2

KBP104G C2

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
KBP10M-E4/45

KBP10M-E4/45

Beskrivning: DIODE 1.5A 1000V KBPM

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
KBP102G C2G

KBP102G C2G

Beskrivning: BRIDGE DIODE 1A 100V GPP KBP

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta