Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > ESH3C M6G
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
5839118ESH3C M6G bildTSC (Taiwan Semiconductor)

ESH3C M6G

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
6000+
$0.117
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    ESH3C M6G
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    900mV @ 3A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    150V
  • Leverantörs Device Package
    DO-214AB (SMC)
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Omvänd återställningstid (trr)
    20ns
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AB, SMC
  • Andra namn
    ESH3C M6G-ND
    ESH3CM6G
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 175°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 150V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    5µA @ 150V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    3A
  • Kapacitans @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz
ESH3CHE3/9AT

ESH3CHE3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3C V6G

ESH3C V6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ESH3B V6G

ESH3B V6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ESH3C-E3/9AT

ESH3C-E3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3C-M3/57T

ESH3C-M3/57T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3C R7G

ESH3C R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ESH3BHE3_A/I

ESH3BHE3_A/I

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3B-E3/57T

ESH3B-E3/57T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3B-M3/9AT

ESH3B-M3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3BHE3/57T

ESH3BHE3/57T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3CHE3_A/H

ESH3CHE3_A/H

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3CHE3/57T

ESH3CHE3/57T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3B-E3/9AT

ESH3B-E3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3C V7G

ESH3C V7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ESH3C-E3/57T

ESH3C-E3/57T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3BHE3_A/H

ESH3BHE3_A/H

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3C-M3/9AT

ESH3C-M3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3B-M3/57T

ESH3B-M3/57T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
ESH3B V7G

ESH3B V7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
ESH3BHE3/9AT

ESH3BHE3/9AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta