Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N5553
RFQs/beställning (0)
Svenska
4570120

JAN1N5553

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
103+
$9.971
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    JAN1N5553
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.3V @ 9A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    800V
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Omvänd återställningstid (trr)
    2µs
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    B, Axial
  • Andra namn
    1086-2099
    1086-2099-MIL
  • Driftstemperatur - korsning
    -65°C ~ 175°C
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    8 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 800V 3A Through Hole
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    1µA @ 800V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    3A
  • Kapacitans @ Vr, F
    -
JAN1N5552

JAN1N5552

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5546C-1

JAN1N5546C-1

Beskrivning: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5551

JAN1N5551

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5554

JAN1N5554

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Beskrivning: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5612

JAN1N5612

Beskrivning: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5555

JAN1N5555

Beskrivning: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5610

JAN1N5610

Beskrivning: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5556

JAN1N5556

Beskrivning: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Beskrivning: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N5611

JAN1N5611

Beskrivning: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5614

JAN1N5614

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5550

JAN1N5550

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5558

JAN1N5558

Beskrivning: TVS DIODE 175V 265V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Beskrivning: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta