Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N5550US
RFQs/beställning (0)
Svenska
3922908

JAN1N5550US

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
100+
$13.707
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    JAN1N5550US
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    3A
  • Spänning - Uppdelning
    D-5B
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • RoHS-status
    Bulk
  • Omvänd återställningstid (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Motstånd @ Om, F
    -
  • Polarisering
    SQ-MELF, B
  • Andra namn
    1086-19411
    1086-19411-MIL
  • Driftstemperatur - korsning
    2µs
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    8 Weeks
  • Tillverkarens varunummer
    JAN1N5550US
  • Utvidgad beskrivning
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B
  • Diodkonfiguration
    1µA @ 200V
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    1.2V @ 9A
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io) (per Diod)
    200V
  • Kapacitans @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Beskrivning: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5555

JAN1N5555

Beskrivning: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N5546C-1

JAN1N5546C-1

Beskrivning: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5545D-1

JAN1N5545D-1

Beskrivning: DIODE ZENER 30V 500MW DO35

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Beskrivning: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5552

JAN1N5552

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5551

JAN1N5551

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5553

JAN1N5553

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5550

JAN1N5550

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5545CUR-1

JAN1N5545CUR-1

Beskrivning: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Beskrivning: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5556

JAN1N5556

Beskrivning: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5545DUR-1

JAN1N5545DUR-1

Beskrivning: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5546BUR-1

JAN1N5546BUR-1

Beskrivning: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N5554

JAN1N5554

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5546B-1

JAN1N5546B-1

Beskrivning: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta