Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N3766
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
1843424

JAN1N3766

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
100+
$62.016
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    JAN1N3766
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.4V @ 110A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    800V
  • Leverantörs Device Package
    DO-5
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500/297
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Andra namn
    1086-16812
    1086-16812-MIL
  • Driftstemperatur - korsning
    -65°C ~ 175°C
  • Monteringstyp
    Chassis, Stud Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    18 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 800V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    10µA @ 800V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    35A
  • Kapacitans @ Vr, F
    -
JAN1N3821AUR-1

JAN1N3821AUR-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3821D-1

JAN1N3821D-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3768R

JAN1N3768R

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3821C-1

JAN1N3821C-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N3768

JAN1N3768

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3822A-1

JAN1N3822A-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N3821A-1

JAN1N3821A-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N3644

JAN1N3644

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N3645

JAN1N3645

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3821DUR-1

JAN1N3821DUR-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3646

JAN1N3646

Beskrivning: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3614

JAN1N3614

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3821CUR-1

JAN1N3821CUR-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3647

JAN1N3647

Beskrivning: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

tillverkare: Microsemi
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta