Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N3644
RFQs/beställning (0)
Svenska
2969097

JAN1N3644

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
100+
$20.873
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    JAN1N3644
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    250mA
  • Spänning - Uppdelning
    S, Axial
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500/279
  • RoHS-status
    Bulk
  • Omvänd återställningstid (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Motstånd @ Om, F
    -
  • Polarisering
    S, Axial
  • Andra namn
    1086-16798
    1086-16798-MIL
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    8 Weeks
  • Tillverkarens varunummer
    JAN1N3644
  • Utvidgad beskrivning
    Diode Standard 1500V (1.5kV) 250mA Through Hole S, Axial
  • Diodkonfiguration
    5µA @ 1500V
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    5V @ 250mA
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io) (per Diod)
    1500V (1.5kV)
  • Kapacitans @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3595UR-1

JAN1N3595UR-1

Beskrivning: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3766

JAN1N3766

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3645

JAN1N3645

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3647

JAN1N3647

Beskrivning: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3612

JAN1N3612

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3613

JAN1N3613

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3614

JAN1N3614

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3595A-1

JAN1N3595A-1

Beskrivning: DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3595AUS

JAN1N3595AUS

Beskrivning: DIODE GEN PURP 125V 150MA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3646

JAN1N3646

Beskrivning: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N3600

JAN1N3600

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N3595-1

JAN1N3595-1

Beskrivning: DIODE SW 125V 150MA DO35

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N3611

JAN1N3611

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N3595AUR-1

JAN1N3595AUR-1

Beskrivning: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta