Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > APT66F60B2
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
6538582APT66F60B2 bildMicrosemi

APT66F60B2

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$24.07
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    APT66F60B2
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    T-MAX™ [B2]
  • Serier
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 33A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    1135W (Tc)
  • Förpackning
    Tube
  • Förpackning / Fodral
    TO-247-3 Variant
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    13190pF @ 25V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    600V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Beskrivning: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Beskrivning: IGBT 900V 117A 500W TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT68GA60B

APT68GA60B

Beskrivning: IGBT 600V 121A 520W TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Beskrivning: IGBT 600V 121A 520W TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Beskrivning: IGBT 1200V 160A 961W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT66M60B2

APT66M60B2

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Beskrivning: IGBT 900V 117A 500W TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT65GP60J

APT65GP60J

Beskrivning: IGBT 600V 130A 431W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT6M100K

APT6M100K

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT70GR120J

APT70GR120J

Beskrivning: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Beskrivning: IGBT 600V 198A 833W TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Beskrivning: IGBT 600V 121A 520W TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Beskrivning: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT66F60L

APT66F60L

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60S20BG

APT60S20BG

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Beskrivning: IGBT 600V 100A 833W TMAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60S20SG

APT60S20SG

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT66M60L

APT66M60L

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT64GA90B

APT64GA90B

Beskrivning: IGBT 900V 117A 500W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta