Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - IGBT-moduler > APT65GP60J
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
6121028APT65GP60J bildMicrosemi

APT65GP60J

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$36.88
10+
$34.117
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    APT65GP60J
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IGBT 600V 130A 431W SOT227
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max)
    600V
  • Vce (på) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 65A
  • Leverantörs Device Package
    ISOTOP®
  • Serier
    POWER MOS 7®
  • Effekt - Max
    431W
  • Förpackning / Fodral
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-termistor
    No
  • Monteringstyp
    Chassis Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Cies) @ Vce
    7.4nF @ 25V
  • Inmatning
    Standard
  • IGBT-typ
    PT
  • detaljerad beskrivning
    IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP®
  • Nuvarande - Collector Cutoff (Max)
    1mA
  • Nuvarande - Samlare (Ic) (Max)
    130A
  • Konfiguration
    Single
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Beskrivning: IGBT 600V 198A 833W TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60N60SCSG

APT60N60SCSG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
APT66M60B2

APT66M60B2

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT6M100K

APT6M100K

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60S20BG

APT60S20BG

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Beskrivning: IGBT 900V 117A 500W TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT66F60L

APT66F60L

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Beskrivning: IGBT 900V 117A 500W TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
APT66M60L

APT66M60L

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Beskrivning: IGBT 600V 100A 833W TMAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT68GA60B

APT68GA60B

Beskrivning: IGBT 600V 121A 520W TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60S20SG

APT60S20SG

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Beskrivning: IGBT 600V 121A 520W TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Beskrivning: IGBT 600V 121A 520W TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT64GA90B

APT64GA90B

Beskrivning: IGBT 900V 117A 500W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Beskrivning: IGBT 1200V 160A 961W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Beskrivning: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT66F60B2

APT66F60B2

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta