Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICS) > Minne > MT47H32M16BN-5E:D TR
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
3303792MT47H32M16BN-5E:D TR bildMicron Technology

MT47H32M16BN-5E:D TR

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$14.53
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    MT47H32M16BN-5E:D TR
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Skriv cykeltid - Word, Page
    15ns
  • Spänning - Tillförsel
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Teknologi
    SDRAM - DDR2
  • Leverantörs Device Package
    84-FBGA (10x12.5)
  • Serier
    -
  • Förpackning
    Cut Tape (CT)
  • Förpackning / Fodral
    84-TFBGA
  • Andra namn
    557-1214-1
    MT47H32M16BN5EDTR
  • Driftstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Minnetyp
    Volatile
  • Minnesstorlek
    512Mb (32M x 16)
  • Minnesgränssnitt
    Parallel
  • Minnesformat
    DRAM
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaljerad beskrivning
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 600ps 84-FBGA (10x12.5)
  • Klockfrekvens
    200MHz
  • Bas-delenummer
    MT47H32M16
  • Åtkomsttid
    600ps
MT47H32M16CC-37E L:B TR

MT47H32M16CC-37E L:B TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16CC-37E:B TR

MT47H32M16CC-37E:B TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16BN-25:D TR

MT47H32M16BN-25:D TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16CC-3:B TR

MT47H32M16CC-3:B TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16BT-37E:A TR

MT47H32M16BT-37E:A TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16BN-3 IT:D TR

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H256M8THN-3:H

MT47H256M8THN-3:H

Beskrivning: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16CC-37E L:B

MT47H32M16CC-37E L:B

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16BN-5E IT:D TR

MT47H32M16BN-5E IT:D TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16BN-25E IT:D TR

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16CC-37E IT:B TR

MT47H32M16CC-37E IT:B TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16BN-3:D TR

MT47H32M16BN-3:D TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16CC-3:B

MT47H32M16CC-3:B

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16BN-37E IT:D TR

MT47H32M16BN-37E IT:D TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H256M8THN-3:H TR

MT47H256M8THN-3:H TR

Beskrivning: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16BN-25E:D TR

MT47H32M16BN-25E:D TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16BT-3:A TR

MT47H32M16BT-3:A TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16CC-37E:B

MT47H32M16CC-37E:B

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16CC-37E IT:B

MT47H32M16CC-37E IT:B

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager
MT47H32M16BN-37E:D TR

MT47H32M16BN-37E:D TR

Beskrivning: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

tillverkare: Micron Technology
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta