Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - Bipolär (BJT) - Arrays, Pre-Biased > UMG11NTR
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
1951333UMG11NTR bildLAPIS Semiconductor

UMG11NTR

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
5+
$0.127
50+
$0.103
150+
$0.09
500+
$0.081
3000+
$0.074
6000+
$0.07
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    UMG11NTR
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistortyp
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Leverantörs Device Package
    UMT5
  • Serier
    -
  • Motstånd - Emitterbas (R2)
    47 kOhms
  • Motstånd - Bas (R1)
    2.2 kOhms
  • Effekt - Max
    150mW
  • Förpackning
    Original-Reel®
  • Förpackning / Fodral
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Andra namn
    UMG11NDKR
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    10 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvens - Övergång
    250MHz
  • detaljerad beskrivning
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
  • Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Nuvarande - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Nuvarande - Samlare (Ic) (Max)
    100mA
  • Bas-delenummer
    *MG11
RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Beskrivning: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
UMA2NTR

UMA2NTR

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RN4983,LF(CT

RN4983,LF(CT

Beskrivning: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager
BCR10PNB6327XT

BCR10PNB6327XT

Beskrivning: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
UMG9NTR

UMG9NTR

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
NSBC123EDXV6T1

NSBC123EDXV6T1

Beskrivning: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
UMG4NTR

UMG4NTR

Beskrivning: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
SMUN5113DW1T1G

SMUN5113DW1T1G

Beskrivning:

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
PUMH18,115

PUMH18,115

Beskrivning: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

tillverkare: Nexperia
I lager
DCX114YU-7-F

DCX114YU-7-F

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
UMG1NTR

UMG1NTR

Beskrivning: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W UMT5

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
UMG7NTR

UMG7NTR

Beskrivning: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
SMUN5335DW1T1G

SMUN5335DW1T1G

Beskrivning: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
UMG5NTR

UMG5NTR

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
UMG3NTR

UMG3NTR

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
UMG4N-7

UMG4N-7

Beskrivning: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
UMG8NTR

UMG8NTR

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
UMG6NTR

UMG6NTR

Beskrivning: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
UMG2NTR

UMG2NTR

Beskrivning: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Beskrivning: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

tillverkare: Toshiba Semiconductor and Storage
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta