Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > R6020FNX
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
3801695R6020FNX bildLAPIS Semiconductor

R6020FNX

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$7.96
10+
$7.167
100+
$5.893
500+
$4.938
1000+
$4.30
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    R6020FNX
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    TO-220FM
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 10A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    50W (Tc)
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    TO-220-3 Full Pack
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    2040pF @ 25V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    600V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 600V 20A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)
R6020835ESYA

R6020835ESYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6020ENX

R6020ENX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6020ANZC8

R6020ANZC8

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6020ENJTL

R6020ENJTL

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6020ANJTL

R6020ANJTL

Beskrivning: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

tillverkare: Rohm Semiconductor
I lager
R6020KNX

R6020KNX

Beskrivning:

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6020ENZC8

R6020ENZC8

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6020ANX

R6020ANX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6020825HSYA

R6020825HSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Beskrivning: NCH 600V 20A POWER MOSFET

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta