Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > GAP3SLT33-214
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
2108240GAP3SLT33-214 bildGeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$20.62
10+
$18.743
100+
$15.931
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    GAP3SLT33-214
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    2.2V @ 300mA
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    3300V
  • Leverantörs Device Package
    DO-214AA
  • Fart
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serier
    -
  • Omvänd återställningstid (trr)
    0ns
  • Förpackning
    Original-Reel®
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AA, SMB
  • Andra namn
    1242-1172-6
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 175°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    18 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Silicon Carbide Schottky
  • detaljerad beskrivning
    Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    10µA @ 3300V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    300mA (DC)
  • Kapacitans @ Vr, F
    42pF @ 1V, 1MHz
  • Bas-delenummer
    GAP3SLT33
AU2PJHM3_A/I

AU2PJHM3_A/I

Beskrivning: DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SMMSD4148T3G

SMMSD4148T3G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
SHV-06JV1

SHV-06JV1

Beskrivning: IC RECT DIODE HV AXIAL

tillverkare: Sanken Electric Co., Ltd.
I lager
GAP05SLT80-220

GAP05SLT80-220

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL

tillverkare: GeneSiC Semiconductor
I lager
1N4942GP-M3/73

1N4942GP-M3/73

Beskrivning: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
BYT51D-TAP

BYT51D-TAP

Beskrivning: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
XBS304S17R-G

XBS304S17R-G

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA

tillverkare: Torex Semiconductor Ltd
I lager
BYM13-40HE3/97

BYM13-40HE3/97

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
PR3003-T

PR3003-T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
B130Q-13-F

B130Q-13-F

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
SS14HE3_A/I

SS14HE3_A/I

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
VS-5EWH06FNTRRHM3

VS-5EWH06FNTRRHM3

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GAP185

GAP185

Beskrivning: FRONT SAFETY COVER CC185-800

tillverkare: Carlo Gavazzi
I lager
JANTXV1N6621U

JANTXV1N6621U

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
NRVB30H100MFST3G

NRVB30H100MFST3G

Beskrivning:

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
S2BHR5G

S2BHR5G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
GAP3SLT33-220FP

GAP3SLT33-220FP

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220

tillverkare: GeneSiC Semiconductor
I lager
S5GHM3/57T

S5GHM3/57T

Beskrivning: DIODE GP 400V 5A DO214AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GAP9

GAP9

Beskrivning: FRONT SAFETY COVER CC9-150

tillverkare: Carlo Gavazzi
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta