SISS70DN-T1-GE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager

3000+

$0.63

Förfrågan Online

Specifikationer

Artikelnummer

SISS70DN-T1-GE3
Tillverkare / Brand

Electro-Films (EFI) / Vishay
Lagerkvantitet

I lager
Beskrivning

MOSFET N-CH 125V
Ledningsfri status / RoHS-status

Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Datablad

SISS70DN-T1-GE3.pdf
Ecad -modell
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package

PowerPAK® 1212-8S
Serier

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

29.8 mOhm @ 8.5A, 10V
Effektdissipation (Max)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Förpackning

Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral

PowerPAK® 1212-8S
Andra namn

SISS70DN-T1-GE3TR
Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp

Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL)

1 (Unlimited)
Ledningsfri status / RoHS-status

Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 62.5V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs

15.3nC @ 10V
FET-typ

N-Channel
FET-funktionen

-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)

10V
Avlopp till källspänning (Vdss)

125V
detaljerad beskrivning

N-Channel 125V 8.5A (Ta), 31A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C

8.5A (Ta), 31A (Tc)

Relaterade nyheter
Frakt
Betalning

Vi har etablerat långsiktiga partnerskap med stora globala logistikleverantörer och erbjuder flexibla och effektiva fraktlösningar anpassade efter dina unika behov.Beroende på storlek, vikt och destination för din beställning väljer vi den mest lämpliga fraktbäraren.Vi tillhandahåller också realtidslogistikspårningstjänster, vilket gör att kunder kan förstå platsen och statusen för sina varor när som helst. Om du har specifika internationella fraktvägar eller en utsedd speditör, vänligen kontakta vårt säljteam-vi är glada att tillgodose dina krav.

Vi stöder flera betalningsmetoder, inklusive kreditkort, trådöverföringar och andra alternativ, och accepterar de flesta valutor.För beställningar som placeras i USD finns ytterligare betalningsalternativ tillgängliga.För mer information om betalningsmetoder och procedurer, vänligen kontakta vårt säljteam.

Följande är "SISS70DN-T1-GE3" -relaterade produkter.

SISS98DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay

I lager

SISS70DN-T1-GE3

Begär offert

Referenspris (i amerikanska dollar)

Renesas Electronics överger SIC Power Chip Production Plan...

Ireland’s “Silicon Island” Plan: Strengthening Europe’s...

AMD förvärvar Silicon Photonics Chip Company Enoemi, stä...

AI Chip Startup Edgecortix får 3 miljarder yen subvention ...

Wolfspeed planerar konkurs, Renesas står inför 2 miljarde...

Institution: Förväntade Nand-blixtpriserna stiger med 5-1...

NVIDIA to Build Giant AI Supercomputer in Taiwan

Foxconn investerar 1,5 miljarder dollar för att utöka sin...

Institution: Tillverkningssvårigheten för HBM4 har ökat ...

Crusoe Texas Data Center samlar in 11,6 miljarder dollar i ...

Siemens förvärvar EDA Software Developer Excellicon

SEMICON Southeast Asia 2025 Kicks Off in Singapore

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Välj språk

Aktuellt språk