SISS02DN-T1-GE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager

3000+

$0.706

Förfrågan Online

Specifikationer

Artikelnummer

SISS02DN-T1-GE3
Tillverkare / Brand

Electro-Films (EFI) / Vishay
Lagerkvantitet

I lager
Beskrivning

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-
Ledningsfri status / RoHS-status

Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Datablad

SISS02DN-T1-GE3.pdf
Ecad -modell
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+16V, -12V
Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package

PowerPAK® 1212-8S
Serier

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 15A, 10V
Effektdissipation (Max)

5W (Ta), 65.7W (Tc)
Förpackning

Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral

PowerPAK® 1212-8S
Andra namn

SISS02DN-GE3
SISS02DN-T1-GE3TR
Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp

Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL)

1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid

32 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status

Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

4450pF @ 10V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V
FET-typ

N-Channel
FET-funktionen

-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)

4.5V, 10V
Avlopp till källspänning (Vdss)

25V
detaljerad beskrivning

N-Channel 25V 51A (Ta), 80A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C

51A (Ta), 80A (Tc)

Relaterade nyheter
Frakt
Betalning

Vi har etablerat långsiktiga partnerskap med stora globala logistikleverantörer och erbjuder flexibla och effektiva fraktlösningar anpassade efter dina unika behov.Beroende på storlek, vikt och destination för din beställning väljer vi den mest lämpliga fraktbäraren.Vi tillhandahåller också realtidslogistikspårningstjänster, vilket gör att kunder kan förstå platsen och statusen för sina varor när som helst. Om du har specifika internationella fraktvägar eller en utsedd speditör, vänligen kontakta vårt säljteam-vi är glada att tillgodose dina krav.

Vi stöder flera betalningsmetoder, inklusive kreditkort, trådöverföringar och andra alternativ, och accepterar de flesta valutor.För beställningar som placeras i USD finns ytterligare betalningsalternativ tillgängliga.För mer information om betalningsmetoder och procedurer, vänligen kontakta vårt säljteam.

Följande är "SISS02DN-T1-GE3" -relaterade produkter.

SISH129DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay

I lager

SISS02DN-T1-GE3

Begär offert

Referenspris (i amerikanska dollar)

Sydkoreas PNT kommer in i chipglasunderlagsverksamheten

U.S. Reciprocal Tariff Delay and Hike to 49%: Implicati...

Apple antar starkt M5 -chips för att dela kostnader

USA: s tullpolitik Oklar, Malaysian Chip Company avbryter i...

Stimulerad av den kinesiska halvledarens efterfrågan, best...

GlobalFoundries förvärvar MIPS, ett annat RISC-V-chipför...

Institution: Trots kontinuerlig produktionsökning är NVID...

DAC 2025 Highlights the Rise of Multi-Agent Systems in EDA

Sydkorea minskar sitt beroende av japanska chipmaterial, vi...

USA planerar att införa AI -chipbegränsningar på Malaysi...

Den semi 3DIC Advanced Packaging Manufacturing Alliance kom...

UK Semiconductors 2025: Innovation, Ecosystem, and Strategi...

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Välj språk

Aktuellt språk