Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > SISH129DN-T1-GE3
RFQs/beställning (0)
Svenska
758889SISH129DN-T1-GE3 bildElectro-Films (EFI) / Vishay

SISH129DN-T1-GE3

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
3000+
$0.433
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    SISH129DN-T1-GE3
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    PowerPAK® 1212-8SH
  • Serier
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.4 mOhm @ 14.4A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    PowerPAK® 1212-8SH
  • Andra namn
    SISH129DN-T1-GE3TR
  • Driftstemperatur
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    27 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    3345pF @ 15V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    71nC @ 10V
  • FET-typ
    P-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    4.5V, 10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    30V
  • detaljerad beskrivning
    P-Channel 30V 14.4A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    14.4A (Ta), 35A (Tc)
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Beskrivning: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Beskrivning: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Beskrivning: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
SISNAP915EK

SISNAP915EK

Beskrivning: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

tillverkare: Energy Micro (Silicon Labs)
I lager
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Beskrivning: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SISNAP915DK

SISNAP915DK

Beskrivning: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

tillverkare: Energy Micro (Silicon Labs)
I lager
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Beskrivning: SMALL SIGNAL+P-CH

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Beskrivning: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Beskrivning: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta