Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICS) > Minne > AS4C8M32S-7BCN
RFQs/beställning (0)
Svenska
4520675AS4C8M32S-7BCN bildAlliance Memory, Inc.

AS4C8M32S-7BCN

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$6.59
10+
$6.066
25+
$5.94
50+
$5.919
100+
$5.31
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    AS4C8M32S-7BCN
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Ecad -modell
  • Skriv cykeltid - Word, Page
    2ns
  • Spänning - Tillförsel
    3 V ~ 3.6 V
  • Teknologi
    SDRAM
  • Leverantörs Device Package
    90-TFBGA (8x13)
  • Serier
    -
  • Förpackning
    Tray
  • Förpackning / Fodral
    90-TFBGA
  • Andra namn
    1450-1016
  • Driftstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Minnetyp
    Volatile
  • Minnesstorlek
    256Mb (8M x 32)
  • Minnesgränssnitt
    Parallel
  • Minnesformat
    DRAM
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaljerad beskrivning
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • Klockfrekvens
    143MHz
  • Åtkomsttid
    5.4ns
AS4C8M16SA-7BCNTR

AS4C8M16SA-7BCNTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16SA-7TCN

AS4C8M16SA-7TCN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16SA-7BCN

AS4C8M16SA-7BCN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4PD-M3/87A

AS4PD-M3/87A

Beskrivning: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

Beskrivning: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
AS4C8M32MSA-6BIN

AS4C8M32MSA-6BIN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

Beskrivning: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

tillverkare: Vishay Semiconductor Diodes Division
I lager
AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta