Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICS) > Minne > AS4C8M32S-6TIN
RFQs/beställning (0)
Svenska
1750404AS4C8M32S-6TIN bildAlliance Memory, Inc.

AS4C8M32S-6TIN

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
108+
$5.569
324+
$5.548
540+
$5.201
1080+
$4.98
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    AS4C8M32S-6TIN
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Skriv cykeltid - Word, Page
    -
  • Spänning - Tillförsel
    3 V ~ 3.6 V
  • Teknologi
    SDRAM
  • Leverantörs Device Package
    86-TSOP II
  • Serier
    -
  • Förpackning
    Tray
  • Förpackning / Fodral
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Andra namn
    1450-1337
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Minnetyp
    Volatile
  • Minnesstorlek
    256Mb (8M x 32)
  • Minnesgränssnitt
    Parallel
  • Minnesformat
    DRAM
  • Tillverkarens normala ledtid
    8 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaljerad beskrivning
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
  • Klockfrekvens
    166MHz
  • Åtkomsttid
    5.5ns
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16SA-7BCNTR

AS4C8M16SA-7BCNTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16SA-7TCN

AS4C8M16SA-7TCN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16SA-6TINTR

AS4C8M16SA-6TINTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32MSA-6BIN

AS4C8M32MSA-6BIN

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16SA-7BCN

AS4C8M16SA-7BCN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

Beskrivning: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta