Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICS) > Minne > AS4C8M16S-6BIN
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
2288770AS4C8M16S-6BIN bildAlliance Memory, Inc.

AS4C8M16S-6BIN

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    AS4C8M16S-6BIN
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Skriv cykeltid - Word, Page
    2ns
  • Spänning - Tillförsel
    3 V ~ 3.6 V
  • Teknologi
    SDRAM
  • Leverantörs Device Package
    54-TFBGA (8x8)
  • Serier
    -
  • Förpackning
    Tray
  • Förpackning / Fodral
    54-TFBGA
  • Andra namn
    1450-1079
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Minnetyp
    Volatile
  • Minnesstorlek
    128Mb (8M x 16)
  • Minnesgränssnitt
    Parallel
  • Minnesformat
    DRAM
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaljerad beskrivning
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TFBGA (8x8)
  • Klockfrekvens
    166MHz
  • Åtkomsttid
    5ns
AS4C8M16D1A-5TIN

AS4C8M16D1A-5TIN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16S-6TCNTR

AS4C8M16S-6TCNTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16D1A-5TCN

AS4C8M16D1A-5TCN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16D1-5TCNTR

AS4C8M16D1-5TCNTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16MSA-6BINTR

AS4C8M16MSA-6BINTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16D1A-5TINTR

AS4C8M16D1A-5TINTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16D1-5TIN

AS4C8M16D1-5TIN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16S-6TANTR

AS4C8M16S-6TANTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16D1-5TCN

AS4C8M16D1-5TCN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16S-6TAN

AS4C8M16S-6TAN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16S-6TINTR

AS4C8M16S-6TINTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16S-6TCN

AS4C8M16S-6TCN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16S-6BINTR

AS4C8M16S-6BINTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16S-6TIN

AS4C8M16S-6TIN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16S-7TCN

AS4C8M16S-7TCN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16S-7BCN

AS4C8M16S-7BCN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16S-7BCNTR

AS4C8M16S-7BCNTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16D1-5TINTR

AS4C8M16D1-5TINTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16D1A-5TCNTR

AS4C8M16D1A-5TCNTR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager
AS4C8M16MSA-6BIN

AS4C8M16MSA-6BIN

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

tillverkare: Alliance Memory, Inc.
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta