Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICS) > Minne > W988D2FBJX6E
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
4258692W988D2FBJX6E bildWinbond Electronics Corporation

W988D2FBJX6E

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
240+
$3.219
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    W988D2FBJX6E
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Skriv cykeltid - Word, Page
    15ns
  • Spänning - Tillförsel
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Teknologi
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Leverantörs Device Package
    90-VFBGA (8x13)
  • Serier
    -
  • Förpackning
    Tray
  • Förpackning / Fodral
    90-TFBGA
  • Driftstemperatur
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Minnetyp
    Volatile
  • Minnesstorlek
    256Mb (8M x 32)
  • Minnesgränssnitt
    Parallel
  • Minnesformat
    DRAM
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaljerad beskrivning
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
  • Klockfrekvens
    166MHz
  • Åtkomsttid
    5.4ns
W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W988D6FBGX6I

W988D6FBGX6I

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W987D2HBJX6I

W987D2HBJX6I

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W988D6FBGX7E

W988D6FBGX7E

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E

Beskrivning: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W988D2FBJX6E TR

W988D2FBJX6E TR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager
W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Beskrivning: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

tillverkare: Winbond Electronics Corporation
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta