Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > GL41B-E3/96
RFQs/beställning (0)
Svenska
3806685GL41B-E3/96 bildVishay Semiconductor Diodes Division

GL41B-E3/96

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
5+
$0.224
50+
$0.178
150+
$0.159
1500+
$0.134
3000+
$0.123
4500+
$0.117
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    GL41B-E3/96
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1A
  • Spänning - Uppdelning
    DO-213AB
  • Serier
    SUPERECTIFIER®
  • RoHS-status
    Cut Tape (CT)
  • Omvänd återställningstid (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Motstånd @ Om, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisering
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Andra namn
    GL41B-E3/96GICT
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens varunummer
    GL41B-E3/96
  • Utvidgad beskrivning
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Diodkonfiguration
    10µA @ 100V
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io) (per Diod)
    100V
  • Kapacitans @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C
GL41D/54

GL41D/54

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41A/54

GL41A/54

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41B-E3/97

GL41B-E3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41G-E3/96

GL41G-E3/96

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL4100E0000F

GL4100E0000F

Beskrivning: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GL41AHE3/97

GL41AHE3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41BHE3/96

GL41BHE3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41AHE3/96

GL41AHE3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41G-E3/97

GL41G-E3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41D-E3/96

GL41D-E3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41D-E3/97

GL41D-E3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41BHE3/97

GL41BHE3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41G/54

GL41G/54

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL4100

GL4100

Beskrivning: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

tillverkare: Sharp Microelectronics
I lager
GL41GHE3/96

GL41GHE3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41DHE3/96

GL41DHE3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41B/54

GL41B/54

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41DHE3/97

GL41DHE3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41A-E3/97

GL41A-E3/97

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
GL41A-E3/96

GL41A-E3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

tillverkare: Vishay Semiconductor Diodes Division
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta