Hem > Produkter > Integrerade kretsar (ICS) > Minne > TC58BYG0S3HBAI6
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
2626916TC58BYG0S3HBAI6 bildToshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI6

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$3.21
10+
$2.885
25+
$2.84
50+
$2.832
100+
$2.53
338+
$2.448
676+
$2.439
1014+
$2.272
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    TC58BYG0S3HBAI6
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Skriv cykeltid - Word, Page
    25ns
  • Spänning - Tillförsel
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Teknologi
    FLASH - NAND (SLC)
  • Leverantörs Device Package
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Serier
    Benand™
  • Förpackning
    Tray
  • Förpackning / Fodral
    67-VFBGA
  • Andra namn
    TC58BYG0S3HBAI6JDH
    TC58BYG0S3HBAI6YCJ
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Minnetyp
    Non-Volatile
  • Minnesstorlek
    1Gb (128M x 8)
  • Minnesgränssnitt
    Parallel
  • Minnesformat
    FLASH
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaljerad beskrivning
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Åtkomsttid
    25ns
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Beskrivning: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Beskrivning:

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Beskrivning: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Beskrivning: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Beskrivning: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Beskrivning: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Beskrivning: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58BVG0S3HTA00

TC58BVG0S3HTA00

Beskrivning:

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Beskrivning: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Beskrivning: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Beskrivning: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Beskrivning: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Beskrivning: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Beskrivning: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Beskrivning: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Beskrivning: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

Beskrivning: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Beskrivning: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58BVG0S3HTAI0

TC58BVG0S3HTAI0

Beskrivning: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager
TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

Beskrivning:

tillverkare: Toshiba Memory America, Inc.
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta