Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > US1GHM2G
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
340039US1GHM2G bildTSC (Taiwan Semiconductor)

US1GHM2G

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
15000+
$0.066
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    US1GHM2G
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1V @ 1A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    400V
  • Leverantörs Device Package
    DO-214AC (SMA)
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    Automotive, AEC-Q101
  • Omvänd återställningstid (trr)
    50ns
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AC, SMA
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    17 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    5µA @ 400V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    1A
  • Kapacitans @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
US1G-E3/61T

US1G-E3/61T

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
US1GWF-7

US1GWF-7

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
US1GHE3/61T

US1GHE3/61T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
US1G-M3/5AT

US1G-M3/5AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
US1G/1

US1G/1

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
US1J M2G

US1J M2G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Beskrivning:

tillverkare: Vishay
I lager
US1G-M3/61T

US1G-M3/61T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
US1J R3G

US1J R3G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
US1J-13-F

US1J-13-F

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
US1GHE3/5AT

US1GHE3/5AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
US1G-TP

US1G-TP

Beskrivning:

tillverkare: Micro Commercial Components (MCC)
I lager
US1GFA

US1GFA

Beskrivning:

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
US1J-13

US1J-13

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
US1GHR3G

US1GHR3G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta