Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > HS3J V6G
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
4002594HS3J V6G bildTSC (Taiwan Semiconductor)

HS3J V6G

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
6000+
$0.101
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    HS3J V6G
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    600V
  • Leverantörs Device Package
    DO-214AB (SMC)
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Omvänd återställningstid (trr)
    75ns
  • Förpackning / Fodral
    DO-214AB, SMC
  • Andra namn
    HS3J V6G-ND
    HS3JV6G
  • Driftstemperatur - korsning
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    8 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    10µA @ 600V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    3A
  • Kapacitans @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz
HS3JB R5G

HS3JB R5G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3GB R5G

HS3GB R5G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3M R7G

HS3M R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3F R7G

HS3F R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3M M6G

HS3M M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3G V6G

HS3G V6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3KB M4G

HS3KB M4G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3K R7G

HS3K R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3G M6G

HS3G M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3G R7G

HS3G R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3K M6G

HS3K M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3J R7G

HS3J R7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3F V6G

HS3F V6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3FB R5G

HS3FB R5G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3K V7G

HS3K V7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3KB R5G

HS3KB R5G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3K V6G

HS3K V6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3J M6G

HS3J M6G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3F V7G

HS3F V7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
HS3J V7G

HS3J V7G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta