Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > R6030825HSYA
RFQs/beställning (0)
Svenska
6632300

R6030825HSYA

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
30+
$68.438
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    R6030825HSYA
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    2V @ 800A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    800V
  • Leverantörs Device Package
    DO-205AB, DO-9
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Omvänd återställningstid (trr)
    1µs
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Driftstemperatur - korsning
    -45°C ~ 150°C
  • Monteringstyp
    Chassis, Stud Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    12 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 800V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    50mA @ 800V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    250A
  • Kapacitans @ Vr, F
    -
R6030KNX

R6030KNX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030ENX

R6030ENX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030MNX

R6030MNX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6030222PSYA

R6030222PSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta