Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > R6030KNXC7
RFQs/beställning (0)
Svenska
2786059R6030KNXC7 bildLAPIS Semiconductor

R6030KNXC7

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$4.28
10+
$3.824
100+
$3.136
500+
$2.539
1000+
$2.141
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    R6030KNXC7
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    TO-220FM
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    86W (Tc)
  • Förpackning / Fodral
    TO-220-3 Full Pack
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    13 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    2350pF @ 25V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    600V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 600V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030KNX

R6030KNX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030ENX

R6030ENX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Beskrivning: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030MNX

R6030MNX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

tillverkare: Powerex, Inc.
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta