Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JANTXV1N5811
RFQs/beställning (0)
Svenska
6059615

JANTXV1N5811

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
102+
$18.438
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    JANTXV1N5811
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    875mV @ 4A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    150V
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Omvänd återställningstid (trr)
    30ns
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    B, Axial
  • Andra namn
    1086-2848
    1086-2848-MIL
  • Driftstemperatur - korsning
    -65°C ~ 175°C
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    14 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 150V 3A Through Hole
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    5µA @ 150V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    3A
  • Kapacitans @ Vr, F
    65pF @ 10V, 1MHz
JANTXV1N5814

JANTXV1N5814

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JANTXV1N5809

JANTXV1N5809

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5809US

JANTXV1N5809US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5806

JANTXV1N5806

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5819-1

JANTXV1N5819-1

Beskrivning: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5807US

JANTXV1N5807US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5907

JANTXV1N5907

Beskrivning: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5806URS

JANTXV1N5806URS

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5807

JANTXV1N5807

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5807URS

JANTXV1N5807URS

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5806US

JANTXV1N5806US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5968US

JANTXV1N5968US

Beskrivning: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5819UR-1

JANTXV1N5819UR-1

Beskrivning: SCHOTTKY

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5809URS

JANTXV1N5809URS

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5811URS

JANTXV1N5811URS

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5968

JANTXV1N5968

Beskrivning: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N6036A

JANTXV1N6036A

Beskrivning: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5804US

JANTXV1N5804US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N6041A

JANTXV1N6041A

Beskrivning: TVS DIODE 10V 16.7V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JANTXV1N5811US

JANTXV1N5811US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta