Hem > Produkter > Kretsskydd > TVS - Dioder > JAN1N6109US
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
2318190

JAN1N6109US

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    JAN1N6109US
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Reverse Standoff (Typ)
    9.9V
  • Spänning - Klämma (Max) @ Ipp
    19.11V
  • Spänning - Uppdelning (Min)
    11.73V
  • Typ
    Zener
  • Leverantörs Device Package
    B, SQ-MELF
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Power Line Protection
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    SQ-MELF, B
  • Andra namn
    1086-2156
    1086-2156-MIL
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Aktuell - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    26.13A
  • Kapacitans @ Frekvens
    -
  • Tvåriktade kanaler
    1
  • tillämpningar
    General Purpose
JAN1N6108US

JAN1N6108US

Beskrivning: TVS DIODE 9.1V 17.75V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6111A

JAN1N6111A

Beskrivning: TVS DIODE 12.2V 22.3V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6112

JAN1N6112

Beskrivning: TVS DIODE 13.7V 26.36V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6111AUS

JAN1N6111AUS

Beskrivning: TVS DIODE 12.2V 22.3V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6110AUS

JAN1N6110AUS

Beskrivning: TVS DIODE 11.4V 21V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6107US

JAN1N6107US

Beskrivning: TVS DIODE 8.4V 16.38V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6109A

JAN1N6109A

Beskrivning: TVS DIODE 9.9V 18.2V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6111

JAN1N6111

Beskrivning: TVS DIODE 12.2V 23.42V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6111US

JAN1N6111US

Beskrivning: TVS DIODE 12.2V 23.42V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6108A

JAN1N6108A

Beskrivning: TVS DIODE 9.1V 16.9V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6108

JAN1N6108

Beskrivning: TVS DIODE 9.1V 17.75V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6108AUS

JAN1N6108AUS

Beskrivning: TVS DIODE 9.1V 16.9V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6112A

JAN1N6112A

Beskrivning: TVS DIODE 13.7V 25.1V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6109AUS

JAN1N6109AUS

Beskrivning: TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6109

JAN1N6109

Beskrivning: TVS DIODE 9.9V 19.11V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6110A

JAN1N6110A

Beskrivning: TVS DIODE 11.4V 21V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6107A

JAN1N6107A

Beskrivning: TVS DIODE 8.4V 15.6V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6110US

JAN1N6110US

Beskrivning: TVS DIODE 11.4V 22.05V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6110

JAN1N6110

Beskrivning: TVS DIODE 11.4V 22.05V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6107AUS

JAN1N6107AUS

Beskrivning: TVS DIODE 8.4V 15.6V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta