Hem > Produkter > Kretsskydd > TVS - Dioder > JAN1N6103A
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
5523360

JAN1N6103A

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
100+
$15.855
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    JAN1N6103A
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Reverse Standoff (Typ)
    5.7V
  • Spänning - Klämma (Max) @ Ipp
    11.2V
  • Spänning - Uppdelning (Min)
    7.13V
  • Typ
    Zener
  • Leverantörs Device Package
    Axial
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Power Line Protection
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    B, Axial
  • Andra namn
    1086-2130
    1086-2130-MIL
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    18 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Aktuell - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    44.6A
  • Kapacitans @ Frekvens
    -
  • Tvåriktade kanaler
    1
  • tillämpningar
    General Purpose
JAN1N6075

JAN1N6075

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6103

JAN1N6103

Beskrivning: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6105AUS

JAN1N6105AUS

Beskrivning: TVS DIODE 6.9VWM 13.4VC SQMELF

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6105A

JAN1N6105A

Beskrivning: TVS DIODE 6.9V 13.4V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6105US

JAN1N6105US

Beskrivning: TVS DIODE 6.9V 14.07V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6076

JAN1N6076

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6103US

JAN1N6103US

Beskrivning: TVS DIODE 5.7V 11.76V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6078

JAN1N6078

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6105

JAN1N6105

Beskrivning: TVS DIODE 6.9V 14.07V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6101

JAN1N6101

Beskrivning: TVS DIODE 16CDIP

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6104US

JAN1N6104US

Beskrivning: TVS DIODE 6.2V 12.71V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6104

JAN1N6104

Beskrivning: TVS DIODE 6.2V 12.71V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6104AUS

JAN1N6104AUS

Beskrivning: TVS DIODE 6.2V 12.1V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6077

JAN1N6077

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6104A

JAN1N6104A

Beskrivning: TVS DIODE 6.2V 12.1V AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6081

JAN1N6081

Beskrivning: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6074

JAN1N6074

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6100

JAN1N6100

Beskrivning: TVS DIODE 14CFLATPACK

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N6103AUS

JAN1N6103AUS

Beskrivning: TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N6073

JAN1N6073

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta