Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N5615US
RFQs/beställning (0)
Svenska
6059406JAN1N5615US bildMicrosemi

JAN1N5615US

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$13.39
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    JAN1N5615US
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    800mV @ 3A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    200V
  • Leverantörs Device Package
    D-5A
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Omvänd återställningstid (trr)
    150ns
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    SQ-MELF, A
  • Andra namn
    1086-15221
    1086-15221-MIL
  • Driftstemperatur - korsning
    -65°C ~ 200°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    8 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount D-5A
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    500µA @ 200V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    1A
  • Kapacitans @ Vr, F
    -
JAN1N5620

JAN1N5620

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N5555

JAN1N5555

Beskrivning: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5556

JAN1N5556

Beskrivning: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5614

JAN1N5614

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5615

JAN1N5615

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5558

JAN1N5558

Beskrivning: TVS DIODE 175V 265V DO13

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5612

JAN1N5612

Beskrivning: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5619

JAN1N5619

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5611

JAN1N5611

Beskrivning: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5617

JAN1N5617

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5616

JAN1N5616

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5610

JAN1N5610

Beskrivning: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5618

JAN1N5618

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta