Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N5419
RFQs/beställning (0)
Svenska
5164389JAN1N5419 bildMicrosemi

JAN1N5419

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$12.12
10+
$11.022
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    JAN1N5419
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.5V @ 9A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    500V
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serier
    Military, MIL-PRF-19500/411
  • Omvänd återställningstid (trr)
    250ns
  • Förpackning
    Bulk
  • Förpackning / Fodral
    B, Axial
  • Andra namn
    1086-2092
    1086-2092-MIL
  • Driftstemperatur - korsning
    -65°C ~ 175°C
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    8 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 500V 3A Through Hole
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    1µA @ 500V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    3A
  • Kapacitans @ Vr, F
    -
JAN1N5518C-1

JAN1N5518C-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5518D-1

JAN1N5518D-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5420US

JAN1N5420US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5416

JAN1N5416

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5417

JAN1N5417

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5518BUR-1

JAN1N5518BUR-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5518B-1

JAN1N5518B-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5314-1

JAN1N5314-1

Beskrivning: DIODE CURRENT REG 100V

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5415US

JAN1N5415US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5416US

JAN1N5416US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5314UR-1

JAN1N5314UR-1

Beskrivning: DIODE CURRENT REG 100V

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5519B-1

JAN1N5519B-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5417US

JAN1N5417US

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5415

JAN1N5415

Beskrivning: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5418

JAN1N5418

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5518DUR-1

JAN1N5518DUR-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5518CUR-1

JAN1N5518CUR-1

Beskrivning: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

tillverkare: Microsemi
I lager
JAN1N5420

JAN1N5420

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta