Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > APT84M50B2
RFQs/beställning (0)
Svenska
6508559APT84M50B2 bildMicrosemi

APT84M50B2

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    APT84M50B2
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    T-MAX™ [B2]
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65 mOhm @ 42A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    1135W (Tc)
  • Förpackning
    Tube
  • Förpackning / Fodral
    TO-247-3 Variant
  • Andra namn
    APT84M50B2MI
    APT84M50B2MI-ND
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    13500pF @ 25V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    340nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    500V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 500V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    84A (Tc)
APT80SM120J

APT80SM120J

Beskrivning: POWER MOSFET - SIC

tillverkare: Microsemi
I lager
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

Beskrivning: IGBT 600V 143A 625W TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT80M60J

APT80M60J

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT8M80K

APT8M80K

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT80GA90B

APT80GA90B

Beskrivning: IGBT 900V 145A 625W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Beskrivning: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT85GR120J

APT85GR120J

Beskrivning: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

tillverkare: Microsemi
I lager
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT84F50B2

APT84F50B2

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT80SM120B

APT80SM120B

Beskrivning: POWER MOSFET - SIC

tillverkare: Microsemi
I lager
APT84F50L

APT84F50L

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Beskrivning: IGBT 1200V 170A 962W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Beskrivning: IGBT 900V 145A 625W TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT80SM120S

APT80SM120S

Beskrivning: POWER MOSFET - SIC

tillverkare: Microsemi
I lager
APT8M100B

APT8M100B

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Beskrivning: DIODE MODULE 1.6V SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT85GR120L

APT85GR120L

Beskrivning: IGBT 1200V 170A 962W TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT84M50L

APT84M50L

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT80GP60J

APT80GP60J

Beskrivning: IGBT 600V 151A 462W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Beskrivning: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta