Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - IGBT-moduler > APT47GA60JD40
RFQs/beställning (0)
Svenska
6244284APT47GA60JD40 bildMicrosemi Corporation

APT47GA60JD40

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$29.35
10+
$27.149
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    APT47GA60JD40
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IGBT 600V 87A 283W SOT-227
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max)
    87A
  • Spänning - Uppdelning
    ISOTOP®
  • Vce (på) (Max) @ Vge, Ic
    PT
  • Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic
    600V
  • Serier
    POWER MOS 8™
  • Effekt - Max
    283W
  • Polarisering
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-termistor
    Standard
  • Monteringstyp
    Chassis Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens varunummer
    APT47GA60JD40
  • Inputkapacitans (Cies) @ Vce
    2.5V @ 15V, 47A
  • Inmatning
    6.32nF @ 25V
  • Utvidgad beskrivning
    IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP®
  • Beskrivning
    IGBT 600V 87A 283W SOT-227
  • Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    275µA
  • Nuvarande - Samlare Pulsad (Icm)
    No
  • Kontakt Slutför
    Single
APT45GR65B

APT45GR65B

Beskrivning: IGBT 650V 92A 357W TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
APT5010B2FLLG

APT5010B2FLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT4F120K

APT4F120K

Beskrivning: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT47M60J

APT47M60J

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Beskrivning: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

tillverkare: Microsemi
I lager
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Beskrivning: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

tillverkare: Microsemi
I lager
APT48M80L

APT48M80L

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT47F60J

APT47F60J

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Beskrivning: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

tillverkare: Microsemi
I lager
APT48M80B2

APT48M80B2

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT45GP120J

APT45GP120J

Beskrivning: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Beskrivning: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Beskrivning: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Beskrivning: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT45M100J

APT45M100J

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT4M120K

APT4M120K

Beskrivning: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Beskrivning: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Beskrivning: IGBT 1200V 100A 625W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta