Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - IGBT - Single > APT35GA90B
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
1701713APT35GA90B bildMicrosemi

APT35GA90B

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
120+
$4.953
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    APT35GA90B
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    IGBT 900V 63A 290W TO-247
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max)
    900V
  • Vce (på) (Max) @ Vge, Ic
    3.1V @ 15V, 18A
  • Testvillkor
    600V, 18A, 10 Ohm, 15V
  • Td (på / av) @ 25 ° C
    12ns/104ns
  • Växla energi
    642µJ (on), 382µJ (off)
  • Leverantörs Device Package
    TO-247 [B]
  • Serier
    POWER MOS 8™
  • Effekt - Max
    290W
  • Förpackning
    Tube
  • Förpackning / Fodral
    TO-247-3
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    26 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inmatningstyp
    Standard
  • IGBT-typ
    PT
  • Gate Charge
    84nC
  • detaljerad beskrivning
    IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
  • Nuvarande - Samlare Pulsad (Icm)
    105A
  • Nuvarande - Samlare (Ic) (Max)
    63A
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Beskrivning: IGBT 900V 63A 290W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT34M60B

APT34M60B

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Beskrivning: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT34F100L

APT34F100L

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Beskrivning: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Beskrivning: IGBT 1200V 94A 379W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Beskrivning: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

Beskrivning: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT34M120J

APT34M120J

Beskrivning: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT34F100B2

APT34F100B2

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT35SM70B

APT35SM70B

Beskrivning: MOSFET N-CH 700V TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Beskrivning: IGBT 1200V 96A 543W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Beskrivning: IGBT 1200V 94A 379W TO264

tillverkare: Microsemi
I lager
APT35GP120J

APT35GP120J

Beskrivning: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT34F60BG

APT34F60BG

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Beskrivning: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Beskrivning: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT34F60B

APT34F60B

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

tillverkare: Microsemi
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta