Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > APT19M120J
RFQs/beställning (0)
Svenska
865442APT19M120J bildMicrosemi

APT19M120J

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$35.66
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    APT19M120J
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    ISOTOP®
  • Serier
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    530 mOhm @ 14A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    545W (Tc)
  • Förpackning
    Tube
  • Förpackning / Fodral
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Chassis Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    9670pF @ 25V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    1200V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 1200V 19A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    19A (Tc)
APT200GT60JR

APT200GT60JR

Beskrivning: IGBT 600V 195A ISOTOP

tillverkare: Microsemi
I lager
APT18M100B

APT18M100B

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT200GN60JG

APT200GN60JG

Beskrivning: IGBT 600V 283A 682W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

Beskrivning:

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

Beskrivning: IGBT 600V 283A 682W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT18M80B

APT18M80B

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT17F80S

APT17F80S

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
APT2012F3C

APT2012F3C

Beskrivning: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

tillverkare: Kingbright
I lager
APT18M80S

APT18M80S

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
APT19F100J

APT19F100J

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

Beskrivning: IGBT 600V 283A 682W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT2012CGCK

APT2012CGCK

Beskrivning:

tillverkare: Kingbright
I lager
APT18F60B

APT18F60B

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT200GN60J

APT200GN60J

Beskrivning: IGBT 600V 283A 682W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

Beskrivning: LED RED CLEAR 2SMD

tillverkare: Kingbright
I lager
APT18F60S

APT18F60S

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
APT17N80BC3G

APT17N80BC3G

Beskrivning: MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

Beskrivning: IGBT 600V 283A 682W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT2012EC

APT2012EC

Beskrivning:

tillverkare: Kingbright
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta