Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > APT14F100B
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
3099156APT14F100B bildMicrosemi

APT14F100B

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
90+
$8.921
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    APT14F100B
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    TO-247 [B]
  • Serier
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    980 mOhm @ 7A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    500W (Tc)
  • Förpackning
    Tube
  • Förpackning / Fodral
    TO-247-3
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    21 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    3965pF @ 25V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    120nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    1000V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 1000V 14A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Beskrivning: IGBT 600V 220A 536W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT14M100B

APT14M100B

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Beskrivning: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT14M100S

APT14M100S

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
APT130SM70J

APT130SM70J

Beskrivning: MOSFET N-CH 700V SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Beskrivning: IGBT 1200V 41A 250W TO220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT13F120B

APT13F120B

Beskrivning: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

Beskrivning: IGBT 1200V 41A 250W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Beskrivning: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT13F120S

APT13F120S

Beskrivning: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
APT13005T-G1

APT13005T-G1

Beskrivning: TRANS NPN 450V 4A TO220AB

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
APT150GN60J

APT150GN60J

Beskrivning: IGBT 600V 220A 536W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT130SM70B

APT130SM70B

Beskrivning: MOSFET N-CH 700V TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT13005TF-G1

APT13005TF-G1

Beskrivning: TRANS NPN 450V 4A TO220-3

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
APT150GN120J

APT150GN120J

Beskrivning: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Beskrivning: IGBT 600V 220A 536W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Beskrivning: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

tillverkare: Microsemi
I lager
APT14F100S

APT14F100S

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Beskrivning: IGBT 1200V 41A 250W TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT14M120B

APT14M120B

Beskrivning: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta