Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > APT10045B2LLG
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
419067APT10045B2LLG bildMicrosemi

APT10045B2LLG

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    APT10045B2LLG
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    T-MAX™ [B2]
  • Serier
    POWER MOS 7®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Effektdissipation (Max)
    565W (Tc)
  • Förpackning
    Tube
  • Förpackning / Fodral
    TO-247-3 Variant
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    4350pF @ 25V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    154nC @ 10V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    10V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    1000V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 1000V 23A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Beskrivning: MOD DIODE 600V SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10035B2FLLG

APT10035B2FLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

tillverkare: Microsemi
I lager
APT1002RBNG

APT1002RBNG

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10035B2LLG

APT10035B2LLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100F50J

APT100F50J

Beskrivning: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT1001RBN

APT1001RBN

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10021JLL

APT10021JLL

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10045JLL

APT10045JLL

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT1003RBLLG

APT1003RBLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10035LLLG

APT10035LLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10035JLL

APT10035JLL

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Beskrivning: IGBT 600V 120A 416W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10021JFLL

APT10021JFLL

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

tillverkare: Microsemi
I lager
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Beskrivning: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

tillverkare: Microsemi
I lager
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Beskrivning: IGBT 600V 120A 416W SOT227

tillverkare: Microsemi
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta